反向传输电容(Crss):214pF,导通电阻(RDS(on)):29mΩ@5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:-,栅极电荷量(Qg):35.4nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:-,耗散功率(Pd):2.5W,输入电容(Ciss):1614pF,输出电容(Coss):226pF,连续漏极电流(Id):7.3A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 214pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 29mΩ@5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35.4nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 输入电容(Ciss) | 1614pF | |
| 输出电容(Coss) | 226pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.3A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |