导通电阻(RDS(on)):33mΩ@4.5V,数量:2个P沟道,栅极电荷量(Qg):19nC@4.5V,漏源电压(Vdss):30V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):2W,连续漏极电流(Id):7.9A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 33mΩ@4.5V | |
数量 | 2个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 19nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
类型 | P沟道 | |
耗散功率(Pd) | 2W | |
连续漏极电流(Id) | 7.9A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |