反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):35mΩ@4.5V,8A,工作温度:-,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):45nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,类型:-,耗散功率(Pd):52W,输入电容(Ciss):2310pF,输出电容(Coss):250pF,连续漏极电流(Id):32A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | - | |
导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@4.5V,8A | |
工作温度 | - | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 40V | |
类型 | - | |
耗散功率(Pd) | 52W | |
输入电容(Ciss) | 2310pF | |
输出电容(Coss) | 250pF | |
连续漏极电流(Id) | 32A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |