反向传输电容(Crss):1.5pF,导通电阻(RDS(on)):110mΩ,导通电阻(RDS(on)):110mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,技术路线:-,栅极电荷量(Qg):7.2nC,漏源电压(Vdss):650V,类型:1个N沟道,耗散功率(Pd):96W,输入电容(Ciss):243pF,连续漏极电流(Id):20A,阈值电压(Vgs(th)):1.9V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.5pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 技术路线 | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.2nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 96W | |
| 输入电容(Ciss) | 243pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥11.75/个 |
| 10+ | ¥9.94/个 |
| 50+ | ¥8.81/个 |
| 100+ | ¥7.65/个 |
| 500+ | ¥7.13/个 |
| 1000+ | ¥6.9/个 |
整盘
单价
整盘单价¥8.1052
50 PCS/盘
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