反向传输电容(Crss):68pF,导通电阻(RDS(on)):4.6mΩ@10V,50A,工作温度:-55℃~+150℃,栅极电荷量(Qg):100.5nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,类型:-,耗散功率(Pd):132W,输入电容(Ciss):6316.5pF,输出电容(Coss):1272pF,连续漏极电流(Id):80A,阈值电压(Vgs(th)):3.8V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 68pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.6mΩ@10V,50A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 100.5nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 132W | |
| 输入电容(Ciss) | 6316.5pF | |
| 输出电容(Coss) | 1272pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.8V@250uA |