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4N60 TO220-VB
扩展库- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 厂家型号
- 4N60 TO220-VB
- 商品编号
- C19632082
- 商品封装
- TO-220AB
- 商品毛重
- 0.002千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):7pF,导通电阻(RDS(on)):1.7Ω@10V,3.1A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):48nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):60W,输入电容(Ciss):1017pF,输出电容(Coss):1912pF,连续漏极电流(Id):4.5A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):4.5V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.7Ω@10V,3.1A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 输入电容(Ciss) | 1017pF | |
| 输出电容(Coss) | 1912pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA |
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