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CMSL300N04S4-1R1
扩展库- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 厂家型号
- CMSL300N04S4-1R1
- 商品编号
- C19724753
- 商品封装
- TOLL-8L
- 商品毛重
- 0.000905千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- -
商品参数
导通电阻(RDS(on)):1.65mΩ@4.5V,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):148nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):600W,输入电容(Ciss):8300pF,连续漏极电流(Id):400A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.65mΩ@4.5V | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 148nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 600W | |
| 输入电容(Ciss) | 8300pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 400A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
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