反向传输电容(Crss):2pF,导通电阻(RDS(on)):0.12Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,栅极电荷量(Qg):55.4nC@10V,漏源电压(Vdss):655V,类型:N沟道,输入电容(Ciss):2657pF,输出电容(Coss):89pF,连续漏极电流(Id):30A,阈值电压(Vgs(th)):5V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 2pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.12Ω@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
栅极电荷量(Qg) | 55.4nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 655V | |
类型 | N沟道 | |
输入电容(Ciss) | 2657pF | |
输出电容(Coss) | 89pF | |
连续漏极电流(Id) | 30A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |