反向传输电容(Crss):120pF,导通电阻(RDS(on)):1.8mΩ@10V,工作温度:-,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):163nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,耗散功率(Pd):520W,输入电容(Ciss):6220pF,输出电容(Coss):2100pF,连续漏极电流(Id):295A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):3.4V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 120pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 1.8mΩ@10V | |
工作温度 | - | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 163nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
耗散功率(Pd) | 520W | |
输入电容(Ciss) | 6220pF | |
输出电容(Coss) | 2100pF | |
连续漏极电流(Id) | 295A | |
配置 | - | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3.4V@250uA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥6.346/个 |
10+ | ¥5.216/个 |
30+ | ¥4.589/个 |
100+ | ¥3.886/个 |
500+ | ¥3.544/个 |
1000+ | ¥3.401/个 |
整盘
单价
整盘单价¥3.401
2000 PCS/盘