反向传输电容(Crss):752pF,导通电阻(RDS(on)):1.2mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):240nC@10V,漏源电压(Vdss):85V,耗散功率(Pd):500W,输入电容(Ciss):13855pF,输出电容(Coss):2212pF,连续漏极电流(Id):385A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):2V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 752pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 1.2mΩ@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 240nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 85V | |
耗散功率(Pd) | 500W | |
输入电容(Ciss) | 13855pF | |
输出电容(Coss) | 2212pF | |
连续漏极电流(Id) | 385A | |
配置 | - | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥9.356/个 |
10+ | ¥7.765/个 |
30+ | ¥6.9/个 |
100+ | ¥5.64/个 |
500+ | ¥5.207/个 |
1000+ | ¥5.0048/个 |
整盘
单价
整盘单价¥5.0048
2000 PCS/盘