导通电阻(RDS(on)):-,工作温度:-,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):-,连续漏极电流(Id):-,阈值电压(Vgs(th)):-
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | - | |
工作温度 | - | |
数量 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
耗散功率(Pd) | - | |
连续漏极电流(Id) | - | |
阈值电压(Vgs(th)) | - |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥58.91/个 |
10+ | ¥50.13/个 |
30+ | ¥44.79/个 |
100+ | ¥40.31/个 |
102+ | ¥40.31/个 |
104+ | ¥40.31/个 |
整盘
单价
整盘单价¥40.303
2000 PCS/盘
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