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SI6913DQ-T1-BE3
扩展库- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 厂家型号
- SI6913DQ-T1-BE3
- 商品编号
- C20346102
- 商品封装
- TSSOP-8
- 商品毛重
- 0.000135千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
导通电阻(RDS(on)):0.037Ω@1.8V,工作温度:-55℃~+150℃,栅极电荷量(Qg):28nC@4.5V,漏源电压(Vdss):12V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):1.14W,连续漏极电流(Id):5.8A,阈值电压(Vgs(th)):0.9V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.037Ω@1.8V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1.14W | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 0.9V |
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