反向传输电容(Crss):55pF,导通电阻(RDS(on)):5.5mΩ@10V,栅极电荷量(Qg):75nC@4.5V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):110W,输入电容(Ciss):2250pF,输出电容(Coss):365pF,连续漏极电流(Id):80A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 55pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V | |
栅极电荷量(Qg) | 75nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 110W | |
输入电容(Ciss) | 2250pF | |
输出电容(Coss) | 365pF | |
连续漏极电流(Id) | 80A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |