反向传输电容(Crss):125pF,导通电阻(RDS(on)):32mΩ@2.5V,工作温度:-,数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):11nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):800pF,连续漏极电流(Id):6A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):1V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 125pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@2.5V | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 800pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.229/个 |
| 100+ | ¥0.183/个 |
| 300+ | ¥0.159/个 |
| 1000+ | ¥0.142/个 |
| 4000+ | ¥0.121/个 |
| 8000+ | ¥0.114/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.117
4000 PCS/盘
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