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SI6423DQ-T1-GE3
扩展库- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 厂家型号
- SI6423DQ-T1-GE3
- 商品编号
- C2842885
- 商品封装
- TSSOP-8
- 商品毛重
- 0.000192千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):19pF,导通电阻(RDS(on)):0.014Ω@1.8V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):110nC@5V,漏源电压(Vdss):12V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):1.5W,输入电容(Ciss):-,连续漏极电流(Id):9.5A,阈值电压(Vgs(th)):0.8V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 19pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.014Ω@1.8V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC@5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.5A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 0.8V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥8.87/个 |
| 10+ | ¥8.17/个 |
| 30+ | ¥7.74/个 |
| 100+ | ¥7.29/个 |
| 500+ | ¥7.09/个 |
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