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G4N50J
扩展库- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 厂家型号
- G4N50J
- 商品编号
- C22362806
- 商品封装
- TO-251
- 商品毛重
- 0.000663千克(kg)
- 包装方式
- 管装
商品参数
反向传输电容(Crss):6pF,导通电阻(RDS(on)):2.3Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,栅极电荷量(Qg):12nC@10V,漏源电压(Vdss):500V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):30W,输入电容(Ciss):340pF,输出电容(Coss):40pF,连续漏极电流(Id):4A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.3Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 输入电容(Ciss) | 340pF | |
| 输出电容(Coss) | 40pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.317/个 |
| 50+ | ¥0.309/个 |
| 150+ | ¥0.305/个 |
| 525+ | ¥0.3/个 |
| 535+ | ¥0.3/个 |
| 545+ | ¥0.3/个 |
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整盘
单价
整盘单价¥0.309
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库存总量
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