导通电阻(RDS(on)):0.012Ω@10V,导通电阻(RDS(on)):0.019Ω@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):13nC@4.5V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):1.6W,连续漏极电流(Id):8.6A,阈值电压(Vgs(th)):3V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.012Ω@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.019Ω@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.6A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.124/个 |
| 50+ | ¥1.0975/个 |
| 150+ | ¥1.0801/个 |
| 500+ | ¥1.0625/个 |
| 510+ | ¥1.0625/个 |
| 520+ | ¥1.0625/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.0176
3000 PCS/盘
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