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MTP33N10E-VB
扩展库- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 厂家型号
- MTP33N10E-VB
- 商品编号
- C22389685
- 商品封装
- TO-220AB
- 商品毛重
- 0.0022千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
导通电阻(RDS(on)):0.036Ω@10V,工作温度:-55℃~+175℃,漏源电压(Vdss):100V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):3.75W,连续漏极电流(Id):55A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.036Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 3.75W | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
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