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MTP8N20-VB
扩展库- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 厂家型号
- MTP8N20-VB
- 商品编号
- C22389795
- 商品封装
- TO-220AB
- 商品毛重
- 0.00214千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
导通电阻(RDS(on)):0.27Ω@10V,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):30nC@10V,漏源电压(Vdss):200V,类型:N沟道,输入电容(Ciss):110pF,输出电容(Coss):80pF,连续漏极电流(Id):10A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.27Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输入电容(Ciss) | 110pF | |
| 输出电容(Coss) | 80pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
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