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T12N10-VB TO251
扩展库- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 厂家型号
- T12N10-VB TO251
- 商品编号
- C22389866
- 商品封装
- TO-251
- 商品毛重
- 0.00055千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):70pF,导通电阻(RDS(on)):0.11Ω@10V,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):25nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):2.7W,输入电容(Ciss):892pF,输出电容(Coss):110pF,连续漏极电流(Id):15A,阈值电压(Vgs(th)):3V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.11Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 2.7W | |
| 输入电容(Ciss) | 892pF | |
| 输出电容(Coss) | 110pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
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