反向传输电容(Crss):72pF@50V,导通电阻(RDS(on)):93mΩ@10V,3.4A,工作温度:-40℃~+175℃@(Tj),数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):31nC@10V,漏源电压(Vdss):55V,耗散功率(Pd):79W,输入电容(Ciss):660pF@50V,连续漏极电流(Id):20A,阈值电压(Vgs(th)):1V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 72pF@50V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 93mΩ@10V,3.4A | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 耗散功率(Pd) | 79W | |
| 输入电容(Ciss) | 660pF@50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |