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SE8209(ESD)
扩展库- 品牌名称
- SINO-IC(光宇睿芯)
- 厂家型号
- SE8209(ESD)
- 商品编号
- C238660
- 商品封装
- TSSOP-8
- 商品毛重
- 0.000152千克(kg)
- 包装方式
- 编带
商品参数
反向传输电容(Crss):136pF,导通电阻(RDS(on)):40mΩ@2.5V,3A,工作温度:-,数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):11nC@4V,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):693pF,输出电容(Coss):189pF,连续漏极电流(Id):-,阈值电压(Vgs(th)):1.5V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 136pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@2.5V,3A | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@4V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 693pF | |
| 输出电容(Coss) | 189pF | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
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