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SED3032G
扩展库- 品牌名称
- SINO-IC(光宇睿芯)
- 厂家型号
- SED3032G
- 商品编号
- C238666
- 商品封装
- DFN-8(5.2x5.5)
- 商品毛重
- 0.000177千克(kg)
- 包装方式
- 编带
商品参数
反向传输电容(Crss):71pF,导通电阻(RDS(on)):8.5mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):17.5nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):70W,输入电容(Ciss):680pF,输出电容(Coss):102pF,连续漏极电流(Id):30A,阈值电压(Vgs(th)):2.7V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 71pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.5nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 70W | |
| 输入电容(Ciss) | 680pF | |
| 输出电容(Coss) | 102pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V@250uA |
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