反向传输电容(Crss):140pF,导通电阻(RDS(on)):68mΩ@1.8V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:2个P沟道,漏源电压(Vdss):20V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):1.25W,输入电容(Ciss):1020pF,输出电容(Coss):191pF,连续漏极电流(Id):4.7A,阈值电压(Vgs(th)):1V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 68mΩ@1.8V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 输入电容(Ciss) | 1020pF | |
| 输出电容(Coss) | 191pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.7A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |