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SQ4470EY-T1_BE3
扩展库- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 厂家型号
- SQ4470EY-T1_BE3
- 商品编号
- C3279826
- 商品封装
- SOIC-8
- 商品毛重
- 0.000172千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
导通电阻(RDS(on)):12mΩ@10V,6A,工作温度:-55℃~+175℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):68nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):7.1W,输入电容(Ciss):3165pF@25V,连续漏极电流(Id):16A,阈值电压(Vgs(th)):3.5V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@10V,6A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 68nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | 7.1W | |
| 输入电容(Ciss) | 3165pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
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