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AOSD21313C
扩展库- 品牌名称
- AOS
- 厂家型号
- AOSD21313C
- 商品编号
- C3279825
- 商品封装
- SOIC-8
- 商品毛重
- 0.000172千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
导通电阻(RDS(on)):32mΩ@10V,5.7A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:2个P沟道,栅极电荷量(Qg):33nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):1.7W,输入电容(Ciss):1100pF@15V,连续漏极电流(Id):5.7A,阈值电压(Vgs(th)):2.2V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V,5.7A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W | |
| 输入电容(Ciss) | 1100pF@15V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.7A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
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