反向传输电容(Crss):200pF,导通电阻(RDS(on)):17mΩ@4.5V,导通电阻(RDS(on)):21mΩ@2.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:2个P沟道,栅极电荷量(Qg):19nC@4.5V,漏源电压(Vdss):12V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):3W,输入电容(Ciss):1740pF,输出电容(Coss):334pF,连续漏极电流(Id):16A,阈值电压(Vgs(th)):0.7V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@4.5V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@2.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 输入电容(Ciss) | 1740pF | |
| 输出电容(Coss) | 334pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 0.7V@250uA |