射基极击穿电压(Vebo):5V,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),晶体管类型:PNP,特征频率(fT):100MHz,直流电流增益(hFE):160@100mA,1V,耗散功率(Pd):310mW,集射极击穿电压(Vceo):45V,集射极饱和电压(VCE(sat)):0.7V@500mA,50mA,集电极截止电流(Icbo):100nA,集电极电流(Ic):800mA
属性 | 参数值 | 其他 |
---|---|---|
商品目录 | 三极管(BJT) | |
射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
晶体管类型 | PNP | |
特征频率(fT) | 100MHz | |
直流电流增益(hFE) | 160@100mA,1V | |
耗散功率(Pd) | 310mW | |
集射极击穿电压(Vceo) | 45V | |
集射极饱和电压(VCE(sat)) | 0.7V@500mA,50mA | |
集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
集电极电流(Ic) | 800mA |