先进的IGBT/MOSFET驱动器实物图
先进的IGBT/MOSFET驱动器缩略图
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先进的IGBT/MOSFET驱动器

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品牌名称
ST(意法半导体)
厂家型号
TD351IDT
商品编号
C2677120
商品封装
SO-8
商品毛重
0.00012千克(kg)
包装方式
编带
ECCN
EAR99

商品参数

上升时间(tr):100ns,下降时间(tf):100ns,传播延迟 tpHL:-,传播延迟 tpLH:-,工作温度:-40℃~+125℃,工作电压:12V~26V,拉电流(IOH):1300mA,灌电流(IOL):1700mA,特性:欠压保护(UVP),负载类型:MOSFET,负载类型:IGBT,输入低电平(VIL):-,输入高电平(VIH):-,静态电流(Iq):2.5mA,驱动通道数:1,驱动配置:高边

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属性参数值其他
商品目录栅极驱动芯片
上升时间(tr)100ns
下降时间(tf)100ns
传播延迟 tpHL-
传播延迟 tpLH-
工作温度-40℃~+125℃
工作电压12V~26V
拉电流(IOH)1300mA
灌电流(IOL)1700mA
特性欠压保护(UVP)
负载类型MOSFET
负载类型IGBT
输入低电平(VIL)-
输入高电平(VIH)-
静态电流(Iq)2.5mA
驱动通道数1
驱动配置高边

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