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P沟道 MOSFET,电流:-9.0A,耐压:-20V

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品牌名称: VBsemi(微碧半导体)
厂家型号: SI6433DQ-T1-E3-VB
商品编号: C2680883
商品封装: TSSOP-8
商品毛重: 0.00012千克(kg)
包装方式: 编带
ECCN: EAR99

商品参数

反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):0.01Ω@4.5V,8A,工作温度:-55℃~+150℃,栅极电荷量(Qg):46nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):1W,输入电容(Ciss):0.018pF@10V,连续漏极电流(Id):9A,阈值电压(Vgs(th)):0.45V

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属性	参数值	其他
商品目录	场效应管(MOSFET)
反向传输电容(Crss)	-
导通电阻(RDS(on))	0.01Ω@4.5V,8A
工作温度	-55℃~+150℃
栅极电荷量(Qg)	46nC@4.5V
漏源电压(Vdss)	20V
耗散功率(Pd)	1W
输入电容(Ciss)	0.018pF@10V
连续漏极电流(Id)	9A
阈值电压(Vgs(th))	0.45V