温馨提示：图片仅供参考，商品以实物为准
FDW2510NZ
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- FDW2510NZ
- 商品编号
- C3281996
- 商品封装
- TSSOP-8
- 商品毛重
- 0.000135千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):125pF,导通电阻(RDS(on)):32mΩ@2.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):12nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):1.6W,输入电容(Ciss):870pF,输出电容(Coss):225pF,连续漏极电流(Id):6.4A,阈值电压(Vgs(th)):1.5V@250uA
找到类似商品：0 种查看类似商品
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 125pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@2.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 输入电容(Ciss) | 870pF | |
| 输出电容(Coss) | 225pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.4A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
数据手册PDF
放大查看预订参考价
1.89 / PCS库存总量
0 PCS电话
顶部
元器件购物车