导通电阻(RDS(on)):14mΩ@4.5V,4A,数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):10nC@4V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):2W,输入电容(Ciss):930pF@10V,连续漏极电流(Id):8A,阈值电压(Vgs(th)):1.5V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@4.5V,4A | |
数量 | 2个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 10nC@4V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
耗散功率(Pd) | 2W | |
输入电容(Ciss) | 930pF@10V | |
连续漏极电流(Id) | 8A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |