反向传输电容(Crss):60pF,导通电阻(RDS(on)):18mΩ@10V,工作温度:-,数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):18nC@10V,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):780pF,输出电容(Coss):650pF,连续漏极电流(Id):-,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):1V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V | |
| 工作温度 | - | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 780pF | |
| 输出电容(Coss) | 650pF | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.932/个 |
| 50+ | ¥0.911/个 |
| 150+ | ¥0.898/个 |
| 500+ | ¥0.885/个 |
| 510+ | ¥0.885/个 |
| 520+ | ¥0.885/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.8142
3000 PCS/盘
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