SCT027W65G3-4AG实物图
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SCT027W65G3-4AG

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品牌名称
ST(意法半导体)
厂家型号
SCT027W65G3-4AG
商品编号
C27312179
商品封装
HiP-247-4
商品毛重
0.001千克(kg)
包装方式
管装
ECCN
EAR99

商品参数

反向传输电容(Crss):18pF,导通电阻(RDS(on)):39.3mΩ,工作温度:-55℃~+200℃,栅极电荷量(Qg):51nC,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):313W,输入电容(Ciss):1229pF,输出电容(Coss):136pF,连续漏极电流(Id):60A,阈值电压(Vgs(th)):4.2V

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属性参数值其他
商品目录碳化硅场效应管(MOSFET)
反向传输电容(Crss)18pF
导通电阻(RDS(on))39.3mΩ
工作温度-55℃~+200℃
栅极电荷量(Qg)51nC
漏源电压(Vdss)650V
耗散功率(Pd)313W
输入电容(Ciss)1229pF
输出电容(Coss)136pF
连续漏极电流(Id)60A
阈值电压(Vgs(th))4.2V

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