反向传输电容(Crss):4.3pF,导通电阻(RDS(on)):2500mΩ@15V,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):3.79nC,漏源电压(Vdss):1700V,类型:1个N沟道,耗散功率(Pd):75W,输入电容(Ciss):116pF,输出电容(Coss):12pF,连续漏极电流(Id):4A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):2.2V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 4.3pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 2500mΩ@15V | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
栅极电荷量(Qg) | 3.79nC | |
漏源电压(Vdss) | 1700V | |
类型 | 1个N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 75W | |
输入电容(Ciss) | 116pF | |
输出电容(Coss) | 12pF | |
连续漏极电流(Id) | 4A | |
配置 | - | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |