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SCTWA40N120G2V-4
扩展库- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 厂家型号
- SCTWA40N120G2V-4
- 商品编号
- C5268807
- 商品封装
- HiP-247-4
- 商品毛重
- 0.0061千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):15pF,导通电阻(RDS(on)):100mΩ,工作温度:-55℃~+200℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):61nC,漏源电压(Vdss):1200V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):277W,输入电容(Ciss):1233pF,输出电容(Coss):56pF,连续漏极电流(Id):36A,阈值电压(Vgs(th)):2.45V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ | |
| 工作温度 | -55℃~+200℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 61nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 1200V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 277W | |
| 输入电容(Ciss) | 1233pF | |
| 输出电容(Coss) | 56pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.45V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥104.03/个 |
| 10+ | ¥99.14/个 |
| 30+ | ¥90.67/个 |
| 90+ | ¥83.29/个 |
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