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SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管

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品牌名称: SUPSiC(国晶微半导体)
厂家型号: GC3M0075120D
商品编号: C7435045
商品封装: TO247-3
商品毛重: 0.008134千克(kg)
包装方式: 管装
ECCN: -

商品参数

反向传输电容(Crss):2pF,导通电阻(RDS(on)):75mΩ@15V,工作温度:-40℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):54nC,漏源电压(Vdss):1200V,类型:1个N沟道,耗散功率(Pd):136W,输入电容(Ciss):1390pF,输出电容(Coss):58pF,连续漏极电流(Id):32A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):2.5V

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属性	参数值	其他
商品目录	碳化硅场效应管(MOSFET)
反向传输电容(Crss)	2pF
导通电阻(RDS(on))	75mΩ@15V
工作温度	-40℃~+175℃
栅极电荷量(Qg)	54nC
漏源电压(Vdss)	1200V
类型	1个N沟道
耗散功率(Pd)	136W
输入电容(Ciss)	1390pF
输出电容(Coss)	58pF
连续漏极电流(Id)	32A
配置	-
阈值电压(Vgs(th))	2.5V

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