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SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管
扩展库- 品牌名称
- SUPSiC(国晶微半导体)
- 厂家型号
- GC3M0075120D
- 商品编号
- C7435045
- 商品封装
- TO247-3
- 商品毛重
- 0.008134千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):2pF,导通电阻(RDS(on)):75mΩ@15V,工作温度:-40℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):54nC,栅极电荷量(Qg):54nC,漏源电压(Vdss):1200V,类型:1个N沟道,耗散功率(Pd):136W,输入电容(Ciss):1390pF,输出电容(Coss):58pF,连续漏极电流(Id):32A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):2.5V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@15V | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 54nC | |
| 栅极电荷量(Qg) | 54nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 1200V | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 136W | |
| 输入电容(Ciss) | 1390pF | |
| 输出电容(Coss) | 58pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 32A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥32.89/个 |
| 10+ | ¥28.74/个 |
| 30+ | ¥25.34/个 |
| 90+ | ¥22.84/个 |
| 600+ | ¥21.69/个 |
| 900+ | ¥21.17/个 |
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