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GC3M0060065D
扩展库- 品牌名称
- SUPSiC(国晶微半导体)
- 厂家型号
- GC3M0060065D
- 商品编号
- C7435026
- 商品封装
- TO247-3
- 商品毛重
- 0.008293千克(kg)
- 包装方式
- 管装
商品参数
反向传输电容(Crss):9pF,导通电阻(RDS(on)):60mΩ,导通电阻(RDS(on)):60mΩ@15V,栅极电荷量(Qg):46nC,漏源电压(Vdss):650V,类型:1个N沟道,耗散功率(Pd):150W,输入电容(Ciss):1020pF,输出电容(Coss):80pF,连续漏极电流(Id):29A,阈值电压(Vgs(th)):2.3V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@15V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 输入电容(Ciss) | 1020pF | |
| 输出电容(Coss) | 80pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 29A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V |
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