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SUPSiC MOSFET 碳化硅场效应管
扩展库- 品牌名称
- SUPSiC(国晶微半导体)
- 厂家型号
- GC3M0016120D
- 商品编号
- C7435039
- 商品封装
- TO247-3
- 商品毛重
- 0.008249千克(kg)
- 包装方式
- 管装
商品参数
反向传输电容(Crss):13pF,导通电阻(RDS(on)):16mΩ,导通电阻(RDS(on)):16mΩ@15V,工作温度:-40℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):207nC,栅极电荷量(Qg):207nC,漏源电压(Vdss):1200V,类型:1个N沟道,耗散功率(Pd):556W,输入电容(Ciss):6085pF,输出电容(Coss):230pF,连续漏极电流(Id):115A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@15V | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 207nC | |
| 栅极电荷量(Qg) | 207nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 1200V | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 556W | |
| 输入电容(Ciss) | 6085pF | |
| 输出电容(Coss) | 230pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 115A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥104.9/个 |
| 10+ | ¥95.94/个 |
| 30+ | ¥87.7/个 |
| 90+ | ¥80.5/个 |
| 92+ | ¥80.5/个 |
| 94+ | ¥80.5/个 |
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