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NTBG022N120M3S
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- NTBG022N120M3S
- 商品编号
- C5209031
- 商品封装
- D2PAK7(TO-263-7L-HV)
- 商品毛重
- 0.0023千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- ECL99
商品参数
反向传输电容(Crss):14pF,导通电阻(RDS(on)):30mΩ,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):148nC,漏源电压(Vdss):1200V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):234W,输入电容(Ciss):3200pF,输出电容(Coss):148pF,连续漏极电流(Id):58A,阈值电压(Vgs(th)):4.4V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 14pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 148nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 1200V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 234W | |
| 输入电容(Ciss) | 3200pF | |
| 输出电容(Coss) | 148pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 58A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.4V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥98/个 |
| 10+ | ¥83.72/个 |
| 30+ | ¥72.76/个 |
| 100+ | ¥63.19/个 |
| 102+ | ¥63.19/个 |
| 104+ | ¥63.19/个 |
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