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KN3M65017D
扩展库- 品牌名称
- KNSCHA(科尼盛)
- 厂家型号
- KN3M65017D
- 商品编号
- C7432998
- 商品封装
- TO-247-3
- 商品毛重
- 0.008035千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):1.8pF,导通电阻(RDS(on)):650mΩ,导通电阻(RDS(on)):650mΩ@20V,工作温度:-55℃~+150℃,栅极电荷量(Qg):23nC,漏源电压(Vdss):1700V,类型:1个N沟道,耗散功率(Pd):62W,输入电容(Ciss):194pF,连续漏极电流(Id):7A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):2.6V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.8pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 650mΩ | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 650mΩ@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 1700V | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 62W | |
| 输入电容(Ciss) | 194pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V |
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