反向传输电容(Crss):1.8pF,导通电阻(RDS(on)):650mΩ,导通电阻(RDS(on)):650mΩ@20V,工作温度:-55℃~+150℃,栅极电荷量(Qg):23nC,栅极电荷量(Qg):23nC,漏源电压(Vdss):1700V,类型:1个N沟道,耗散功率(Pd):62W,输入电容(Ciss):194pF,连续漏极电流(Id):7A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):2.6V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.8pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 650mΩ | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 650mΩ@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 1700V | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 62W | |
| 输入电容(Ciss) | 194pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥19.9/个 |
| 10+ | ¥16.95/个 |
| 30+ | ¥15.1/个 |
| 120+ | ¥13.21/个 |
| 480+ | ¥12.36/个 |
| 1020+ | ¥11.99/个 |
整盘
单价
整盘单价¥13.892
30 PCS/盘
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