反向传输电容(Crss):25pF,导通电阻(RDS(on)):100mΩ,工作温度:-55℃~+200℃,栅极电荷量(Qg):105nC,漏源电压(Vdss):1200V,耗散功率(Pd):270W,输入电容(Ciss):1700pF,输出电容(Coss):130pF,连续漏极电流(Id):45A,阈值电压(Vgs(th)):3.5V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ | |
| 工作温度 | -55℃~+200℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 105nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 1200V | |
| 耗散功率(Pd) | 270W | |
| 输入电容(Ciss) | 1700pF | |
| 输出电容(Coss) | 130pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 45A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |