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碳化硅功率MOSFET，N沟道增强型
扩展库- 品牌名称
- HTCSEMI(海天芯)
- 厂家型号
- HT19N1200ADZ
- 商品编号
- C47326417
- 商品封装
- TO-247-3
- 商品毛重
- 0.008333千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):5pF,导通电阻(RDS(on)):196mΩ,工作温度:-55℃~+150℃,栅极电荷量(Qg):40nC,栅极电荷量(Qg):40nC,漏源电压(Vdss):1200V,耗散功率(Pd):125W,输入电容(Ciss):606pF,输出电容(Coss):55pF,连续漏极电流(Id):19A,阈值电压(Vgs(th)):4V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 196mΩ | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 1200V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 输入电容(Ciss) | 606pF | |
| 输出电容(Coss) | 55pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 19A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
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|---|---|
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