反向传输电容(Crss):5pF,导通电阻(RDS(on)):78mΩ,工作温度:-55℃~+150℃,栅极电荷量(Qg):35nC,漏源电压(Vdss):900V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):125W,输入电容(Ciss):760pF,输出电容(Coss):66pF,连续漏极电流(Id):36A,阈值电压(Vgs(th)):3.5V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 78mΩ | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 输入电容(Ciss) | 760pF | |
| 输出电容(Coss) | 66pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥85.38/个 |
| 10+ | ¥81.36/个 |
| 30+ | ¥74.41/个 |
| 90+ | ¥68.35/个 |
| 92+ | ¥68.35/个 |
| 94+ | ¥68.35/个 |
整盘
单价
整盘单价¥68.4572
30 PCS/盘
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