反向传输电容(Crss):72.6pF,导通电阻(RDS(on)):98mΩ,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):85nC,栅极电荷量(Qg):85nC,漏源电压(Vdss):1200V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):166W,输入电容(Ciss):2016pF,输出电容(Coss):17.9pF,连续漏极电流(Id):28A,阈值电压(Vgs(th)):4V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 72.6pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 98mΩ | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 85nC | |
| 栅极电荷量(Qg) | 85nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 1200V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 166W | |
| 输入电容(Ciss) | 2016pF | |
| 输出电容(Coss) | 17.9pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 28A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |