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HT36N900ADZ
扩展库- 品牌名称
- HTCSEMI(海天芯)
- 厂家型号
- HT36N900ADZ
- 商品编号
- C47325507
- 商品封装
- TO-247-3
- 商品毛重
- 0.00842千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):78mΩ,工作温度:-55℃~+150℃,栅极电荷量(Qg):33nC,漏源电压(Vdss):900V,耗散功率(Pd):125W,输入电容(Ciss):-,输出电容(Coss):-,连续漏极电流(Id):36A,阈值电压(Vgs(th)):3.5V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 78mΩ | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
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