反向传输电容(Crss):8pF,导通电阻(RDS(on)):60mΩ,工作温度:-40℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):63nC,漏源电压(Vdss):650V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):176W,输入电容(Ciss):1621pF,输出电容(Coss):101pF,连续漏极电流(Id):49A,阈值电压(Vgs(th)):3.6V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 176W | |
| 输入电容(Ciss) | 1621pF | |
| 输出电容(Coss) | 101pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 49A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥102.28/个 |
| 10+ | ¥97.47/个 |
| 30+ | ¥89.14/个 |
| 90+ | ¥81.88/个 |
| 92+ | ¥81.88/个 |
| 94+ | ¥81.88/个 |
整盘
单价
整盘单价¥82.0088
30 PCS/盘
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