漏源电压(Vdss):650V,类型:1个N沟道,耗散功率(Pd):176W,连续漏极电流(Id):49A
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
类型 | 1个N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 176W | |
连续漏极电流(Id) | 49A |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥102.02/个 |
10+ | ¥97.22/个 |
30+ | ¥88.92/个 |
90+ | ¥81.67/个 |
92+ | ¥81.67/个 |
94+ | ¥81.67/个 |
整盘
单价
整盘单价¥81.8064
30 PCS/盘
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