反向传输电容(Crss):4.1pF,导通电阻(RDS(on)):73mΩ,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):19nC,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):130W,输入电容(Ciss):669pF,输出电容(Coss):65pF,连续漏极电流(Id):96A,阈值电压(Vgs(th)):5.6V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 4.1pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 73mΩ | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
栅极电荷量(Qg) | 19nC | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
耗散功率(Pd) | 130W | |
输入电容(Ciss) | 669pF | |
输出电容(Coss) | 65pF | |
连续漏极电流(Id) | 96A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 5.6V |