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2200V N 沟道碳化硅功率 MOSFET
扩展库- 品牌名称
- Tokmas(托克马斯)
- 厂家型号
- IXTH1N200P3(TOKMAS)
- 商品编号
- C48586471
- 商品封装
- TO-247-3
- 商品毛重
- 0.008038千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):2.7pF,导通电阻(RDS(on)):1.4Ω,工作温度:-55℃~+175℃,栅极电荷量(Qg):15nC,栅极电荷量(Qg):15nC,漏源电压(Vdss):2200V,耗散功率(Pd):94W,输入电容(Ciss):168pF,输出电容(Coss):13pF,连续漏极电流(Id):8.7A,阈值电压(Vgs(th)):2.8V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.7pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 2200V | |
| 耗散功率(Pd) | 94W | |
| 输入电容(Ciss) | 168pF | |
| 输出电容(Coss) | 13pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.7A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V |
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