反向传输电容(Crss):3pF,导通电阻(RDS(on)):208mΩ,工作温度:-55℃~+150℃,栅极电荷量(Qg):38nC,漏源电压(Vdss):1200V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):97W,输入电容(Ciss):632pF,输出电容(Coss):39pF,连续漏极电流(Id):17A,阈值电压(Vgs(th)):3.6V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 208mΩ | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 1200V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 97W | |
| 输入电容(Ciss) | 632pF | |
| 输出电容(Coss) | 39pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 17A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥61.64/个 |
| 10+ | ¥52.44/个 |
| 30+ | ¥46.83/个 |
| 90+ | ¥42.12/个 |
| 92+ | ¥42.12/个 |
| 94+ | ¥42.12/个 |
整盘
单价
整盘单价¥43.0836
30 PCS/盘
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